设为首页收藏本站
登录 |[加入论坛] 开启辅助访问 切换到窄版

化工技术网- 赠人玫瑰 手有余香

化工技术网- 赠人玫瑰 手有余香»首页 › ≡行业交流区≡ › 『 晶硅工业 』 › 电子级多晶硅生产工艺的热力学分析
返回列表 发新帖
查看: 3972|回复: 11

电子级多晶硅生产工艺的热力学分析

[复制链接]
feifei3383652 发表于 2008-5-27 23:55 | 显示全部楼层 |阅读模式
电子级多晶硅生产工艺的热力学分析
李国栋 ， 张秀玲 ， 胡仰栋
n．中国海洋大学化学化工学院，山东青岛266003 2．德州学院化学系，山东德州253011)
摘要：基于Gibbs自由能最小原理，对SiHC13法生产电子级多晶硅闭环工艺的3个反应子系统分别进行了化学反应
平衡计算，重点对SiHC1 还原反应子系统进行了热力学分析．对于SiHC13还原反应子系统，适宜的操作温度为
l 323 l473 K，压力为0．1 MPa；温度高于l 323 K，H2／SiHC13比大于6．6，低压下有利于SiHC13还原生产多晶硅．针
对传统的SiHCI3还原需要高温下电加热给过程操作带来的诸多不便，提出了用cl2部分氧化使SiHCI3还原反应体系
实现能量耦合的新工艺，即反应过程不需外部加热就可完成，从而节约电耗，同时还发现平衡时体系中加入的cl2能
反应完全，不会影响后序工艺的进行．对于SiCh转化反应子系统，高压、低H2／SiCh比有利于生成SiHC13．
关键词：多晶硅；生产工艺；化学反应平衡；吉布斯自由能最小
中图分类号：TQO2 文献标识码：A 文章编号：1009-606X(2007)03-0520—06

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？[加入论坛]

x

评分

参与人数 1化工币 +6 收起 理由
Bosskang + 6 感谢分享， 加分鼓励！^_^

查看全部评分

回复

使用道具 举报

ELITELYH 发表于 2008-5-29 20:21 | 显示全部楼层
应该是篇好文章
回复 支持 反对

使用道具 举报

binger 发表于 2008-9-10 11:06 | 显示全部楼层

不错 不错 收下了

不错  不错  收下了
回复 支持 反对

使用道具 举报

浩铭 发表于 2008-9-15 23:13 | 显示全部楼层
回复 支持 反对

使用道具 举报

ulsgh 发表于 2008-9-17 16:31 | 显示全部楼层
这篇文章不错，想法也不错，但目前要这样做还不可能。
回复 支持 反对

使用道具 举报

dayinghzl 发表于 2008-9-22 19:20 | 显示全部楼层
谢谢，了解一下。
回复 支持 反对

使用道具 举报

baofenghuhu 发表于 2008-9-23 17:52 | 显示全部楼层
好像看不懂
回复 支持 反对

使用道具 举报

yb_power 发表于 2008-9-26 13:57 | 显示全部楼层
好文章
回复 支持 反对

使用道具 举报

kuxuewen 发表于 2008-11-20 18:07 | 显示全部楼层
不错  不错  收下了
回复 支持 反对

使用道具 举报

wxj114 发表于 2008-11-21 12:09 | 显示全部楼层
哈哈，不错啊！！！
回复 支持 反对

使用道具 举报

kuxuewen 发表于 2008-11-21 12:41 | 显示全部楼层
哈哈，不错啊！！！
回复 支持 反对

使用道具 举报

rgj888 发表于 2010-11-23 08:25 | 显示全部楼层
哈哈，不错啊
回复 支持 反对

使用道具 举报

返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | [加入论坛]

本版积分规则

化工技术网- 赠人玫瑰 手有余香 ( 苏ICP备14035884号 )

快速回复 返回顶部 返回列表