铸造多晶硅中杂质对少子寿命的影响

铸造多晶硅中杂质对少子寿命的影响
邓海1，杨德仁1，唐骏2，席珍强1，阙端麟1
(1．浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州310027；2．浙江精工太阳能有限公司，宁波315000)
摘要：应用微波光电导衰减仪(肚一PCD)测得了铸造多晶硅硅锭沿生长方向少子寿命的分布图。结果显示：距离
硅锭底部4。5cm以及顶部约2cm的范围内均存在一个少子寿命值过低的区域，而硅锭中间区域的少子寿命值较
高且分布均匀。通过将样品在200℃下热处理10IIlin，根据处理前后少子寿命值的变化，获得了间隙铁浓度沿硅锭
方向的一维线性分布曲线。从曲线中可以发现铁在硅锭两端浓度较高，这与硅锭冷却过程中铁从坩埚向硅锭底部
发生的固相扩散以及铁的分凝特性有关。另外通过傅立叶变换红外光谱仪(FTm)测试发现间隙氧浓度在硅锭底
部较高，呈现从硅锭底部向顶部逐渐降低的趋势。研究结果表明硅锭中存在的高浓度的氧、铁等杂质为影响其少
子寿命值的关键因素。