有机硅低聚体合成工艺
杨 锐,曹端林,李永祥
(中北大学化工与环境学院,山西太原 030051)
摘 要:采用一甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、一苯基三乙氧基硅烷未完全水解制备了含乙氧基的有机
硅低聚体。通过正交实验分析确定最佳工艺条件为,原料配比R /Si = 1. 4, Ph /R = 0. 2,反应时间为2. 5 h,反应温度
为80℃。对最佳工艺条件下的有机硅低聚体进行红外光谱表征,低聚体剪切强度可达2. 92MPa。
关键词:一甲基三乙氧基硅烷;二甲基二乙氧基硅烷;一苯基三乙氧基硅烷;合成
中图分类号: TQ 320. 62 文献标识码:A 文章编号: 1671 - 3206 (2006) 12 - 0943 - 03 |
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