三氯氢硅的还原机理是什么？

如题：三氯氢硅的还原机理是什么？

净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。

其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。

机理不是单单一个化学反应式就能够表示的

是热分解，还是氢还原，难定，好好研究吧！

如果有条件，在实验室里更好做，研究的任务很重

因为在还原炉内的反应很⑴SiHCl3＋H2＝Si＋3HCl↑(1050-1100℃)
⑵2SiHCl3＝Si＋2HCl↑＋SiCl4 （热分解）
⑶SiHCl3＝SiH2Cl2＋HCl↑(900-1000℃)
⑷Si＋2HCl≒SiH2Cl2(＞1200℃或低温腐蚀)
⑸SiHCl3＝SiH2Cl2＋SiCl4（ Si＋SiCl4≒SiCl2）
⑹SiCl4＋2H2＝Si＋4HCl↑（高温下）
⑺4SiHCl3＝Si＋2H2↑＋3SiCl4（热分解）
⑻Si＋4HCl＝2H2↑＋SiCl4（腐蚀）
其实上面7个反应都会发生，谁占主要反应主要还是靠温度还是配比。另回复9楼，二氯二氢硅进去要长硅粉阻塞尾气管线要爆炸的，在实际中非常危险的。
在压力和原料配比变化不大的时候，温度很关键。