1955年,西门子公司成功开发了利用H 2还原SiHCl3在硅芯
发热体上沉积硅的工艺技术,并于1957年开始了工业规模
的生产,这就是通常所说的西门子法。
SiHCl3 法是当今生产多晶硅的主流技术, 其纯度可达N型
2000Ω·cm , 生产历史已有35 年。
优点:安全
有用沉积比:1000:1,沉积速率8~10μm/ min
一次通过的转换效率为5 %~20 %
还原时一般不生成硅粉, 有利于连续操作
纯度高,可满足直拉和区熔的要求
缺点:沉积温度1100℃, 电耗较高,120 kW·h/kg。 |